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国产内存要想获得发展,必须攻克这三家外企专利围堵

发布时间:2019-09-26 访问次数:810次 来源:科技风景线 分享:

因为中兴、华为被美国打压的问题,让我们意识到了在半导体领域受制于人所存在的巨大风险,而日本突然对韩国半导体产业发动致命一击,也让我们看到了在生意场上没有所谓的盟友,不管协议上签的字多好看,都会成为废纸一张!


关键技术,核心技术产品只有自己会生产制造了,这样才会获得发展、甚至是生存的空间,这一点在半导体产业上尤其如此,而今天,科技风景线就给大家说说国产存储的事情,看看最新的情况,我们到底发展到哪一步了。

虽然紫光旗下的长江存储在3D NAND方面接二连三的获得突破,我们的国产硬盘终于要批量生产了,更为可喜的是,长江存储在闪存上的自主知识产权的突破,拥有了属于自己的知识产权,这也意味着属于国产硬盘的时代到来了。

除了闪存NANA,在存储方面还有大家熟知的内存DRAM了,而现在我们在国产DRAM方面,基本上还处于空白阶段,前途漫漫,仍需努力拼搏,而这需要企业带头攻关,现在担起这个重担的正是紫光集团。

早前有消息传言称,紫光集团已经决定自己组建团队进行自主研发DRAM,而现在已经开始了团队组建,为了能够在未来五到十年获得突破,紫光将在资金投入上达到8000亿!


对于这样的消息,紫光集团DRAM 事业群CEO高启全给出了自己的解释称,紫光集团将加速自主研发DRAM,而按照紫光的计划,在武汉设立初期研发中心,在重庆建设DRAM事业群总部,而在重庆的内存芯片工厂,将在2019年底开工建设,计划在2021年正式量产内存。

在自主DRAM攻关上,采用类似长江存储开发储存型闪存的自主研发模式,至于新公司成立时间、科研团队以及投资金额等信息,高启全并没有具体的透露。

现在所面临的问题是,全球DRAM市场基本上被三星、SK海力士和美光三大厂商把控,而关于DRAM上的相关技术专利也是这三大厂商阻碍国产DRAM崛起的利器,如果我们想在DRAM上获得成功,那就必须绕开这三大厂商的专利,而要想绕开这三座大山谈何容易,而这也是短时间内在国产DRAM难以获得突破的重要原因!

不过,虽然投入上的加大,以及在人才队伍上的建设,相信在未来5到10年的时间内,有着相关政策以及国内市场的支持,还是有着较大的希望的。


美国给我们上了生动的一课,而日本用自己的獠牙再次让世人看到了科技兴国不能只靠嘴皮子,更不能建立在他国的施舍之上,现在我们在硬盘闪存方面获得了突破,剩下的就是在内存方面的突破了,支持紫光科研人员的努力,为我们的科研人员点赞!

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