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区熔单晶硅片

发布时间:2018-09-12 访问次数:310次 分享:

根据客户的需要公司可提供用于制作高反压器件、光电子器件的本征高阻区熔单晶硅片;用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等半导体器件需要的中子辐照区熔单晶硅片、气相掺杂区熔单晶硅片、直拉区熔单晶硅片。

规格:

产品类型

导电类型

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω•cm)

厚度(μm)

本征高阻区熔单晶硅片

(FZ)

N&P

<100><110><111>

40-150

>100

≥160

中子辐照区熔单晶硅片

(NTDFZ)

N

<100><110><111>

40-150

30-800

≥160

气相掺杂区熔单晶硅片

(GDFZ)

N&P

<100><110><111>

76.2-150

0.001-50

≥160

直拉区熔单晶硅片

(CFZ)

N&P

<100><110><111>

76.2-150

1-50

≥160