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X-RFID高安全防伪芯片

发布时间:2018-09-03 访问次数:1201次 分享:

KX1010是一款符合ISO/IEC15693标准的高频电子标签芯片。该产品采用了一系列创新的设计思路:采用只有10条指令的“精简指令集”,使用更加简便且成本更低;采用“云计算”思路,彻底改变RFID认证的技术方法;写入和锁定操作可以口令保护,提高安全性;内置SM7商密算法电路,可实现高强度防伪认证功能;与系统配合,可实现数据加密功能;实现上述功能却不增加特殊指令,与现有通用读写器完全兼容。此外,该产品采用了凯路威特有的XLPM存储器,数据写入后不可改写,并能够抗紫外线及核辐射,数据保存时间可达100年。该产品特别适合于物品标识、物品防伪、物品防盗等领域。

产品特征

RF界面 

符合ISO/IEC 15693标准

I-CODE2功能兼容(但同时能支持TI读写机写入)

工作频率: 13.56MHz±7KHz

通讯速率为26.48Kbps,最高可达53Kbps

16 位CRC校验

具备防冲突功能

支持应用类型识别(AFI)功能

支持数据存储格式识别(DSFID)功能

支持凯路威专有指令,同类产品无法伪造 

存储器

内置2048 bits XLPM存储器

XLPM数据保持时间100年

XLPM一次写入后不可改写 

安全性

每个芯片具有全球唯一的UID

用户区每个数据块可独立锁定

DSFID, AFI可独立锁定

XLPM存储器写入并锁定后永久不可更改,并可经受紫外线、核辐射等恶劣条件

特殊的KLW指令,同类产品无法仿冒

32位口令保护


工作参数

Symbol

Parameter

condition

Min

Norm

Max

Unit

Top

temperature


-25


+70

°C

fop

Operating frequency


13.553

 

13.567

MHz

mvicc

Modulation index

m=(Vmax-Vmin)/

(Vmax+Vmin)

   30

 

   100

%

tmpw

Pause width


6.0

 

13.94

us

 电学特性

Symbol

Parameter

Condition

Min

Norm

Max

Unit

Cres

Input capacitance


21.15

23.5

25.85

pF

Tret1

XLPM Data retention time


100



years

极限参数

Symbol

Parameter

Condition

Min

Norm

Max

Unit

Tstg

Storage temperature


-55


+125

°C

Vesd

ESD Immunity

HBM 

8K



V

222.jpg

QQ截图20160225104232副本_编辑.png   

  • ●  最优成本

   X-RFID技术是业界最优成本的RFID芯片技术

  • ●  高可靠性

   X-RFID芯片具有100年以上数据保持能力

  • ●  高安全性

   X-RFID芯片在物理机制上抗侦破、防篡改,没有电位差异和视觉差异,极难侦破

1.jpg

 世界首创的双存储器结构,实现EEPROM的灵活可擦写与XPM的不可擦写、100年数据保存时间的完美结合3.jpg

芯片具有NFC无线RF通讯和有线I2C双接口通信桥接功能,可通过I2C接口与MCU实时通讯,让无线通讯RFID拥有更多无限可能

3.jpg

芯片嵌入国家密码管理局指定RFID行业专用最高数据安全算法模块。

3.jpg

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