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氮化镓(GaN)第三代半导体器件和驱动芯片

项目简介:我们立志成为中国乃至世界第一的宽禁带半导体器件和驱动芯片提供商,发展核心功率以及射频元器件以针对广阔的传统和新兴的应用市场,例如新一代通用电源,新能源汽车,无人驾驶激光雷达,数据中心,无线充电,5G通讯等等。

项目类别:成长企业

发布时间:2019-08-30

项目阶段

初创阶段

项目介绍

我们的团队由来自欧美中三地半导体工艺和驱动芯片领域具有国际影响力的业界专家组成,累计行业经验超过60年,我们立志成为中国乃至世界第一的宽禁带半导体器件和驱动芯片提供商,发展核心功率以及射频元器件以针对广阔的传统和新兴的应用市场,例如新一代通用电源,新能源汽车,无人驾驶激光雷达,数据中心,无线充电,5G通讯等等。

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